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纪要 TOPCON电池专家交流会

日期: 2022-08-23 07:13:11 来源:OD电竞 作者:OD平台网站

  背面隧穿氧化层和多晶硅层沉积(LPCVD,PECVD,PVD三种路线),LPCVD先通过热氧化方式长1-1.5nm的遂穿氧化层,再长本征非晶硅层,结合磷扩散,形成掺杂多晶硅层。PECVD先用PECVD方式长1-1.5nm的遂穿氧化层,再长掺杂非晶硅层,厚度约为100-150nm之间。PVD方式和PECVD差不多。LPCVD做的最好的是拉普拉斯,PECVD做的比较好的是捷佳伟创和红太阳两家,北方华创和金辰其次,红太阳的设备在通威,晶澳,中来都有在试用demo机,PEALD微导在做,由于隧穿氧化层通过有机硅的方式实现生长,成本会更高,PEALD这条路线未来不会选择。PVD中来在做。

  刻蚀清洗,链式设备把表面PSG去掉,再通过碱刻蚀把正面绕镀的多晶硅去掉,然后做槽式清洗,把正面的BSG掩膜,背面PSG掩膜去掉(捷佳伟创,金舟等)

  A:PECVD与LPCVD相比,成本会低0.01元/W,成本优势主要在石英件耗材较少节省0.005元/W,设备投资较低,PECVD加退火的方式比LPCVD本征加磷扩的方式节省0.007元-0.008元/W。其次是金属化,目前TOPCON量产银浆耗量在14-16mg/W的水平,晶科目前182整片在14mg/W的银耗,未来可以通过网板优化,浆料优化降低银耗,银浆耗量有望做到9-10mg/W,目前PERC是8-9mg/W。硅片目前用150,160微米的厚度,明年应该能做到140微米,再往薄做会很难。设备投资目前1.5-1.7亿/GW,TOPCON技术路线掌握在电池厂手里,比PERC高4000-5000万,未来还有持续降本的空间,去年是1.9亿/GW,降幅较大。

  A:激光SE,导入SE需要增加激光SE设备投入,目前可以提效0.2%,后期做到0.3-0.4%的效率提升还是有可能的。背面POLY硅厚度优化,浆料改进,硅片质量改善等都有可能提升,今年晶科量产做到24.8-24.9%没问题,明年量产在在年底做到25.5%以上没问题。

  A:晶科可以做到98%以上的良率,晶科卡的不严,通威卡的严,行业良率在96%左右,比PERC低2-3%,还有很大的提升空间。

  A:今年80GW有点难,60GW没问题。晶科已经有16GW,还有8GW,总计24GW。中来一期4GW加泰州3.6GW,接近8GW。天合宿迁有8GW要投,晶澳已经有1.3GW,6GW在招标,一道有6GW,钧达有8GW,阿特斯有6GW。这两年的规划(2024年之前)已经超过160GW。

  A:银耗在23-25mg/W,目前研发做到20mg/W,比TOPCON12mg/W还高很多。硅片130微米硅片没问题,但如果再往下做明年也不一定乐观。设备投资上正背面改微晶可以提0.7-0.8%的效率,比TOPCON会有0.5%的效率优势,到明年底HJT中试可能还会有26%的效率出现。银包铜到今年年底有可能上,但薄片化有碎片率高的问题,激光转印技术也没有这么快,还需要持续降本。150微米HJT良率在99%以上,130微米HJT良率在98%以上接近99%。今年年底之前做到130微米没什么问题。但120微米以下碎片率会高很多,后面会上但没那么快,今年比较难。

  A:晶科20多GW全是LPCVD路线,一道也是LPCVD路线GW选择LPCVD,二期8GW可能会选择PECVD,LPCVD是比较稳妥的方案,后期下单比较多的通威8GW,天合8GW,润阳10GW改造,晶澳1.3GW+6GW招标都是PECVD,但PECVD没有大规模跑片不知道是不是有问题。但PECVD原位要掺杂的方式可以把POLY做薄,均匀性,掺杂浓度相比于LPCVD有优势,效率会较高,此外PECVD的产能6管可以做到6800片/h的产能,比LPCVD4000片/h的产能大很多,另外PECVD用的是石墨舟不存在石英舟损耗的问题。后面投的公司主要还是看重PECVD的成本优势,目前天合可以做到和LP持平,其他家做PECVD路线效率比LPCVD也会稍差一些。目前落地的产能LP和PE是64开,未来PE路线会更乐观。

  A:目前SE晶科在做,其他几家都没在做,不知道晶科进展如何,效率有0.2%的提升,良率未知。对应价值量2500万/GW,费用较大,技术也不是很成熟,目前投产不太会上这个技术路线。当前的经济性不高。

  A:和帝尔合作做激光SE,目前无进展,直掺很难做,如果做二次掺杂难度不大。

  A:PEALD用有机硅为原材料比PECVD用笑气更高,均匀性两者差不多,通威以前1GW都用PEALD,现在全部改为PECVD,尚德也用了2GW的PEALD设备,专家的公司以前用PEALD但现在也改用PECVD,未来PEALD没有优势

  A:优点是无绕镀,产能更大,良率更高。缺点是机台开机率低,需要经常维护,此外效率较低(中来实际量产效率24.3%),设备投资成本更多,占地面积更大。PVD为了防止背面边缘不漏电有0.7-0.8mm不做钝化,效率会有所损失,其次PVD轰击会有损伤,钝化会更差,效率有所损伤。目前PVD只有中来在用,但如果TOPCON电池可以做薄,PVD方式会更有优势。

  A:三四年内看不到,钙钛矿处在很早的阶段,目前稳定性,光衰,紫外线分解等问题都没有得到解决,真正大规模量产还很早。后期可能晶硅电池和钙钛矿电池做叠层,但没这么快。

  A:至少要过两年左右,需要用电镀铜,银包铜等新技术把成本将下来,从今明两年来看,成本还是很难往下降。从叠层电池来看HJT和钙钛矿都是低温制程相比TOPCON会更容易。

  A:TOPCON正面细栅线微米左右,用钢板印刷HJT可以做到27微米线宽,TOPCON可以做到20微米。

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